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| https://www.monotaro.com/p/4966/1475/ | 2026/06/07 04:22:53 |
 | nexperia Nexperia Pチャンネル パワーMOSFET |
5月24日より値下げいたしました。 |
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| 仕様: | チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：1.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧：20 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：210 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：0.95V●最低ゲートしきい値電圧：0.45V●最大ゲート-ソース間電圧：+8 V●パッケージタイプ：SOT-23 (TO-236AB)●実装タイプ：表面実装●ピン数：3●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：2.17 W●標準入力キャパシタンス @ Vds：365 pF @ -10 V●PチャンネルMOSFET、Nexperia |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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