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2026/06/06 21:11:49

BSS192，115 Nexperia PチャンネルパワーMOSFET nexperia 49661484

nexperia
Nexperia PチャンネルパワーMOSFET

大変申し訳ございませんが、この商品は取り扱いを終了いたしました。

注文コード	49661484
品番	BSS192，115
内容量	1袋(10個)
参考基準価格(税別)	オープン

仕様:	チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：200 mA●最大ドレイン-ソース間電圧：240 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：12Ω●最大ゲートしきい値電圧：2.8V●最低ゲートしきい値電圧：0.8V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：SOT-89●実装タイプ：表面実装●トランジスタ構成：シングル●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：1 W●寸法：4.6 x 2.6 x 1.6mm●PチャンネルMOSFET、Nexperia
RoHS指令(10物質対応):	対応

仕様:

チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：200 mA●最大ドレイン-ソース間電圧：240 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：12Ω●最大ゲートしきい値電圧：2.8V●最低ゲートしきい値電圧：0.8V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：SOT-89●実装タイプ：表面実装●トランジスタ構成：シングル●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：1 W●寸法：4.6 x 2.6 x 1.6mm●PチャンネルMOSFET、Nexperia

RoHS指令(10物質対応):

対応