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2026/06/06 14:18:12

BSP220，115 Nexperia PチャンネルパワーMOSFET nexperia 49661518

nexperia
Nexperia PチャンネルパワーMOSFET

大変申し訳ございませんが、この商品は取り扱いを終了いたしました。

注文コード	49661518
品番	BSP220，115
内容量	1リール(1000個)
参考基準価格(税別)	オープン

仕様:	チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：225 mA●最大ドレイン-ソース間電圧：200 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：12 Ω●最大ゲートしきい値電圧：2.8V●最低ゲートしきい値電圧：0.8V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：SOT-223●実装タイプ：表面実装●ピン数：3+Tab●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：1.5 W●標準ターンオフ遅延時間：30 ns●PチャンネルMOSFET、Nexperia
RoHS指令(10物質対応):	対応

仕様:

チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：225 mA●最大ドレイン-ソース間電圧：200 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：12 Ω●最大ゲートしきい値電圧：2.8V●最低ゲートしきい値電圧：0.8V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：SOT-223●実装タイプ：表面実装●ピン数：3+Tab●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：1.5 W●標準ターンオフ遅延時間：30 ns●PチャンネルMOSFET、Nexperia

RoHS指令(10物質対応):

対応