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| https://www.monotaro.com/p/4966/1563/ | 2026/06/06 20:31:55 |
![]() | nexperia Nexperia Pチャンネル パワーMOSFET |
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| 仕様: | チャンネルタイプ:P●最大連続ドレイン電流:3.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧:20 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:76 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:0.9V●最低ゲートしきい値電圧:0.47V●最大ゲート-ソース間電圧:-12 V, +12 V●パッケージタイプ:SOT-23 (TO-236AB)●実装タイプ:表面実装●ピン数:3●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:1.92 W●標準ターンオフ遅延時間:68 ns●PチャンネルMOSFET、Nexperia |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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