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| https://www.monotaro.com/p/4966/1588/ | 2026/06/06 23:10:37 |
 | nexperia Nexperia Pチャンネル パワーMOSFET |
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| 仕様: | チャンネルタイプ：P 、 最大連続ドレイン電流：300 mA 、 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗：2.5 Ω 、 最大ゲートしきい値電圧：1.9V 、 最低ゲートしきい値電圧：1V 、 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V 、 パッケージタイプ：SOT-23 (TO-236AB) 、 実装タイプ：表面実装 、 トランジスタ構成：シングル 、 チャンネルモード：エンハンスメント型 、 カテゴリー：パワーMOSFET 、 最大パワー消費：417 mW 、 動作温度 Max：+150 ℃ 、 PチャンネルMOSFET、Nexperia |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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