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| https://www.monotaro.com/p/4966/1606/ | 2026/06/06 14:01:43 |
 | nexperia Nexperia Pチャンネル パワーMOSFET |
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| 仕様: | チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：470 mA●最大ドレイン-ソース間電圧：30 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：900 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：0.68V●最低ゲートしきい値電圧：0.4V●最大ゲート-ソース間電圧：-8 V， +8 V●パッケージタイプ：SOT-23 (TO-236AB)●実装タイプ：表面実装●ピン数：3●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：417 mW●標準ターンオフ遅延時間：45ns●PチャンネルMOSFET、Nexperia |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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