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特長：
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シリコンサージアブソーバVRDは、立ち上がりの急峻なサージ電圧を吸収する為に開発されたサージアブソーバです。
VRDは、シリコン接合のアバランシェ効果によりサージに対し応答性が非常に速い。
その制御電圧は、ほとんど電流に依存することなくシャープであることなど、従来のサージアブソーバの抱えていた問題点を解決した、高性能高信頼性デバイスです。
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用途：
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通信回線・通信装置の誘導雷サージ保護、静電気対策、EMP対策、リレー・ソレノイド等・開閉サージの保護、火災検知器等のサージ保護、その他・異常電圧発生時の電子回路保護
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使用温度範囲(℃)：
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-40〜125
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電圧(V)：
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ブレークダウン電圧：22(19.8〜24.2)
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定格電力(W)：
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1
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定格電圧(V)：
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17.8
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許容電流(A)：
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10/1000μs/8/20μs：15.7/147
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対応：
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RoHS
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温度係数：
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25〜50度にて：0.082%/℃
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静電容量：
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420pF
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保存温度範囲(℃)：
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-40〜130
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漏れ電流(μA)：
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5
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制限電圧(V)：
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10/1000μs/8/20μs：31.9/41.2
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許容電力(W)：
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過渡許容電力：(10/1000μs印加時)500、(1.2/50μs印加時)2000、(8/20μs印加時)6000
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