| 特長: | シリコンサージアブソーバVRDは、立ち上がりの急峻なサージ電圧を吸収する為に開発されたサージアブソーバです。
VRDは、シリコン接合のアバランシェ効果によりサージに対し応答性が非常に速い。
その制御電圧は、ほとんど電流に依存することなくシャープであることなど、従来のサージアブソーバの抱えていた問題点を解決した、高性能高信頼性デバイスです。 |
|---|
| 用途: | 通信回線・通信装置の誘導雷サージ保護、静電気対策、EMP対策、リレー・ソレノイド等・開閉サージの保護、火災検知器等のサージ保護、その他・異常電圧発生時の電子回路保護 |
|---|
| 使用温度範囲(℃): | -40～125 |
|---|
| 電圧(V): | ブレークダウン電圧：150(135～165) |
|---|
| 定格電力(W): | 1 |
|---|
| 定格電圧(V): | 121 |
|---|
| 許容電流(A): | 10/1000μs/8/20μs：2.32/21.9 |
|---|
| 対応: | RoHS |
|---|
| 温度係数: | 25～50度にて：0.105%/℃ |
|---|
| 静電容量: | 60pF |
|---|
| 保存温度範囲(℃): | -40～130 |
|---|
| 漏れ電流(μA): | 5 |
|---|
| 制限電圧(V): | 10/1000μs/8/20μ215/277 |
|---|
| 許容電力(W): | 過渡許容電力：(10/1000μs印加時)500、(1.2/50μs印加時)2000、(8/20μs印加時)6000 |
|---|
