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| https://www.monotaro.com/p/6806/8405/ | 2026/06/09 03:22:37 |
 | onsemi onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 55 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン |
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| 仕様: | ●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：55 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：75 nC @ 10 V |
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| シリーズ: | QFET |
| ピン数(ピン): | 3 |
| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
| 特性: | QFET(R) NチャンネルMOSFET、31 A超、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量( |
| パッケージ: | D2PAK (TO-263) |
| 実装タイプ: | 表面実装 |
| チャンネルタイプ: | N |
| 最大パワー消費(mW): | 3750 |
| チャンネルモード: | エンハンスメント型 |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(V): | 100 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ): | 26 |
| 最大ゲート-ソース間電圧(V): | -25 ， +25 |
| トランジスタ構成: | シングル |
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