 | |
| https://www.monotaro.com/p/6806/8430/ | 2026/07/04 23:27:18 |
 | onsemi onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 10 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン |
|
|
| 仕様: | ●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0.4166666667●標準ゲートチャージ @ Vgs：8.7 nC @ 5 V |
|---|---|
| シリーズ: | QFET |
| ピン数(ピン): | 3 |
| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
| 特性: | QFET(R) NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲー |
| パッケージ: | DPAK (TO-252) |
| 実装タイプ: | 表面実装 |
| チャンネルタイプ: | N |
| 最大パワー消費(mW): | 2500 |
| チャンネルモード: | エンハンスメント型 |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(V): | 100 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ): | 180 |
| 最大ゲート-ソース間電圧(V): | -20 ， +20 |
| トランジスタ構成: | シングル |
| Copyright 2000-2026MonotaRO Co.,Ltd. All Rights Reserved. 株式会社MonotaRO（ものたろう） |