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| https://www.monotaro.com/p/6806/8475/ | 2026/05/11 23:40:10 |
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onsemi
onsemi Nチャンネル MOSFET200 V 850 mA 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン |
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| 仕様： | ●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：850 mA●標準ゲートチャージ @ Vgs：4 nC @ 5 V |
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| シリーズ： | QFET |
| ピン数(ピン)： | 3 |
| RoHS指令(10物質対応)： | 対応 |
| 特性： | QFET(R) NチャンネルMOSFET、最大5.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷 |
| パッケージ： | SOT-223 |
| 実装タイプ： | 表面実装 |
| チャンネルタイプ： | N |
| 最大パワー消費(mW)： | 2200 |
| チャンネルモード： | エンハンスメント型 |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(V)： | 200 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)： | 1.35 |
| 最大ゲート-ソース間電圧(V)： | -20 ， +20 |
| トランジスタ構成： | シングル |
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