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| https://www.monotaro.com/p/6819/7230/ | 2026/06/14 19:09:40 |
 | onsemi onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 10.6 A 表面実装 パッケージMLP8 8 ピン |
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| 仕様: | ●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：10.6 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：32 nC @ 10 V |
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| 高さ(mm): | 0.75 |
| ピン数(ピン): | 8 |
| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
| 特性: | UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、ス |
| パッケージ: | MLP8 |
| 実装タイプ: | 表面実装 |
| チャンネルタイプ: | N |
| 最大パワー消費(mW): | 2500 |
| チャンネルモード: | エンハンスメント型 |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(V): | 60 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ): | 12 |
| 最大ゲート-ソース間電圧(V): | -20 ， +20 |
| トランジスタ構成: | シングル |
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