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| https://www.monotaro.com/p/6855/5536/ | 2026/06/07 02:28:48 |
 | VISHAY MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC |
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| その他: | 【Id、Vgs印加時のRds On(最大)】80ミリオーム @ 3.7A、10V、【Id印加時のVgs(th)】最大3V @ 250μA、【Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)】20nC @ 10V、8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅) |
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| タイプ: | 【FET】2Nチャンネル(デュアル) |
| 電流(A): | (25℃での連続ドレイン(Id))：3.7 |
| 機能: | 【FET】論理レベルゲート |
| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
| 動作温度範囲(℃): | -55～175(TJ) |
| 実装タイプ: | 面実装 |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(V): | 60 |
| 最大電力(W): | 2.4 |
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