| 特長: | 10μmで安定検知するCMOSレーザセンサ、誕生。 |
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| 材質: | 本体ケース：アルミダイカスト、前面カバー：アクリル |
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| 質量(g): | バラ線タイプ：約30(ケーブル含まず)、約80(ケーブル含む)、M12コネクタタイプ：約30(ケーブル含まず)、約50(ケーブル含む) |
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| タイプ: | バラ線 |
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| 測定範囲(mm): | ±35 |
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| 保護構造: | IP67(IEC) |
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| 電源電圧(V): | 24 DC±10% リップルP-P10% |
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| 光源: | 赤色半導体レーザ クラス2【JIS /IEC / GB / FDA】 最大出力：1mW、発光ピーク波長：655nm |
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| 制御出力: | 【PNPトランジスタ・オープンコレクタ】印加電圧：30V DC以下(制御出力-+V間)、留電圧：1.5V以下(流出電流50mAにて、 漏れ電流：0.1mA以下 |
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| データ出力: | プロセス：4byte |
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| 消費電流(mA): | 40以下(電源電圧24V DC時) |
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| 精度(μm): | 【ビーム径】約Φ120 |
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| 通信方式: | IO-Link Specifi cation V1.1 |
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| 測定距離(mm): | 中心：100 |
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| 使用周囲温度(℃): | -10～+45(但し、結露および氷結しないこと)、保存時：-20～+60 |
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| 直線性: | ±0.1%F.S. |
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| ケーブル: | バラ線タイプ：0.2mm2、4芯PVCケーブル2m付、M12コネクタタイプ：0.2mm2、 4芯コネクタ付PVCケーブル0.3m付【ケーブル延長】0.3mm2以上のケーブルにて全長20mまで延長可能 |
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| 繰返し精度(μm): | 70 |
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| 短絡保護: | 装備(自動復帰型) |
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| 使用周囲照度(Lx): | 白熱ランプ：受光面照度3000以下 |
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| 出力動作: | 入光時ON / 非入光時ON 切り換え可能 |
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| 標高(m): | 使用：2000以下 |
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| 汚染度(使用環境): | 3 |
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| 耐衝撃(m/s<sup>2</sup>): | 耐久500(約50G)、XYZ各方向3回 |
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| 温度特性: | 0.03%F.S./℃ |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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| 各種認証: | 【適合規制及び認証】CEマーキング(EMC指令、RoHS指令)、UKCAマーキング(EMC規則、RoHS規則)、FDA規則、UL/c-UL認証 |
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| 関連資料: |  (5.3MB) |
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| 使用周囲湿度(%RH): | 35～85、保存時：35～85 |
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| 伝送速度(Kbps): | COM3(230.4) |
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| 耐振動(Hz): | 耐久10～55(周期1分)、複振幅1.5mm、XYZ各方向2時間 |
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| 時間(ms): | 最小サイクル：1 |
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| 応答時間(ms): | 1.5/5 /10、切り換え可能 |
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(5.3MB)