| 特長: | 変位センサの新基準、精度と利便性の両立 |
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| 材質: | 本体ケース：アルミダイカスト、前面カバー：ガラス |
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| タイプ: | アナログ出力 |
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| 測定範囲(mm): | ±10 |
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| 保護構造: | IP67(IEC)、制御出力：装備(自動復帰式) ※過電流保護ではありません。 |
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| 検出方式: | 拡散反射 |
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| 方式: | アース：コンデンサアース |
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| 本体質量(g): | 約150 |
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| 分解能(μm): | - |
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| アナログ出力: | 出力モードを設定にて切替え可能 |
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| 表示部: | 0.9インチ有機EL、測定値：符号+5桁(小数点以下最大4桁) |
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| 電源電圧(V): | 24 DC±10% リップル0.5V(P-P)を含む、電流容量が500mA以上の電源ユニット |
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| 光源: | 赤色半導体レーザクラス2[IEC/EN/JIS/GB/KS/FDA]、最大出力：1mW、発光ピーク波長：655nm |
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| 制御出力: | 出力1(OUT1)・出力2(OUT2)・出力3(OUT3)：・NPNトランジスタ・オープンコレクタ / PNPトランジスタ・オープンコレクタを設定にて切替え可能、判定出力またはアラーム出力を設定にて切替え可能、〈NPN出力選択時〉最大流入電流：50mA、印加電圧：26.4V DC以下(出力-0V間)、残留電圧：2V以下(流入電流50mAにて)、漏れ電流：0.1mA以下〈PNP出力選択時〉、最大流出電流：50mA、残留電圧：2.8V以下(流出電流50mAにて)、漏れ電流：0.1mA以下 |
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| 消費電流(mA): | 150以下※本体のみの消費電流です。外部入力電流は含みません。 |
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| 絶縁抵抗(MΩ): | DC500Vメガにて20以上 |
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| 測定距離(mm): | 中心：50 |
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| 使用周囲温度(℃): | -10～45(氷結しないこと) |
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| 材質(ケーブル): | PVC |
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| サンプリング周期: | 100μs、200μs、500μs、1ms、2ms |
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| 直線性: | 【範囲限定】±0.05%F.S.(45mm～55mm)【範囲以外】 ±0.075%F.S. |
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| ビーム径: | X軸：約60μm、Y軸：約2000μm |
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| 保存温度範囲(℃): | -20～60(氷結しないこと) |
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| 使用周囲照度(Lx): | 白熱ランプ：受光面照度3000以下 |
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| 梱包質量(g): | 200 |
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| 汚染度(使用環境): | 汚損度：2 |
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| 耐衝撃(m/s<sup>2</sup>): | 500(約50G) XYZ各方向3回 |
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| 表示灯: | 【レーザ放射】緑色LED(レーザ放射中に点灯)【アラーム】橙色LED(光量不足または受光量過多、外乱光過多により測定不能時に点灯) |
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| 温度特性: | 0.03%F.S./℃ |
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| 使用周囲標高(m): | 2000以下 |
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| 外部入力: | 入力1(IN1)・入力2(IN2)・入力3(IN3)：・トリガ、ゼロセット、測定値リセット、レーザ投光停止、ティーチング、バンクから設定にて切替え可能、入力条件は制御出力のNPN/PNP設定に連動〈NPN出力選択時〉流出電流：約1.5mA、入力条件：無効：3V～26.4V DCまたは解放、有効：0V～1.5V DC〈PNP出力選択時〉流入電流：約2.5mA、入力条件：無効：0V～11V DCまたは解放、有効：19V～26.4V DC |
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| 受光素子: | CMOSイメージセンサ |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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| 各種認証: | 【適合規制】CEマーキング(EMC指令、RoHS指令)、UKCAマーキング(EMC規則、RoHS規則)、FDA規則、、TUV SUD認証(米国・カナダ)、韓国KCマーク |
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| 関連資料: |  (5.88MB) |
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| 耐電圧(V/min): | AC1000 全端子一括・ケース間 |
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| 耐電圧(V): | AC1000 1分間 全端子一括・ケース間 |
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| 保存湿度範囲(%RH): | 35～85(結露しないこと) |
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| 使用周囲湿度(%RH): | 35～85(結露しないこと) |
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| 耐振動(Hz): | 耐環境性：耐久10～55 (周期1分) 複振幅1.5mm XYZ各方向2時間 |
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| 耐振動(耐久)(Hz): | 10～55 複振幅1.5mm XYZ各方向2時間 |
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| 通信インターフェース: | - |
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| 出力タイプ: | 制御出力：ON時オープン/クローズを設定にて切替え可能 |
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(5.88MB)