DiodesZetex N， Pチャンネル MOSFET30 V 4.1 A、4.98 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン DiodesZetex - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>ディスクリートその他関連用品 -

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2026/06/22 07:12:02

ZXMHC3F381N8TC DiodesZetex N， Pチャンネル MOSFET30 V 4.1 A、4.98 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン DiodesZetex 81399765

DiodesZetex
DiodesZetex N， Pチャンネル MOSFET30 V 4.1 A、4.98 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

5日出荷とは

注文コード	81399765
品番	ZXMHC3F381N8TC
内容量	1袋(5個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥1,198

特長:	チャンネルタイプ = N， P 最大連続ドレイン電流 = 4.1 A、4.98 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V パッケージタイプ = SOIC 実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 60 mΩ， 80 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V 最大パワー消費 = 1.35 W トランジスタ構成 = フルブリッジ最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V 長さ = 5mm 高さ = 1.5mm 補助強化モードMOSFET Hブリッジ、Diodes Inc.
RoHS指令(10物質対応):	対応

特長:

チャンネルタイプ = N， P
最大連続ドレイン電流 = 4.1 A、4.98 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
パッケージタイプ = SOIC
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 60 mΩ， 80 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 3V
最大パワー消費 = 1.35 W
トランジスタ構成 = フルブリッジ
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
長さ = 5mm
高さ = 1.5mm
補助強化モードMOSFET Hブリッジ、Diodes Inc.

RoHS指令(10物質対応):

対応