DiodesZetex N， Pチャンネル MOSFET60 V 1.8 A、1.5 A 表面実装パッケージSM 8 ピン DiodesZetex - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>ディスクリートその他関連用品 -

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2026/05/19 17:01:19

ZXMHC6A07T8TA DiodesZetex N， Pチャンネル MOSFET60 V 1.8 A、1.5 A 表面実装パッケージSM 8 ピン DiodesZetex 81401427

DiodesZetex
DiodesZetex N， Pチャンネル MOSFET60 V 1.8 A、1.5 A 表面実装パッケージSM 8 ピン

5日出荷とは

5月24日より価格改定を予定しております。新価格(税抜)は229,800円となります。

注文コード	81401427
品番	ZXMHC6A07T8TA
内容量	1セット(1000個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥199,800

特長：	チャンネルタイプ = N， P 最大連続ドレイン電流 = 1.8 A、1.5 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V パッケージタイプ = SM 実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ， 425 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V 最大パワー消費 = 1.7 W トランジスタ構成 = フルブリッジ最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V 幅 = 3.7mm 高さ = 1.6mm 補助強化モードMOSFET Hブリッジ、Diodes Inc.
RoHS指令(10物質対応)：	対応

特長：

チャンネルタイプ = N， P
最大連続ドレイン電流 = 1.8 A、1.5 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
パッケージタイプ = SM
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ， 425 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 3V
最大パワー消費 = 1.7 W
トランジスタ構成 = フルブリッジ
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
幅 = 3.7mm
高さ = 1.6mm
補助強化モードMOSFET Hブリッジ、Diodes Inc.

RoHS指令(10物質対応)：

対応