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2026/06/16 16:44:57

NCS1002ADR2G onsemi 昇降圧レギュレータバックブーストスイッチング 50 mV， 8-Pin， NCS1002ADR2G onsemi 81440627

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onsemi 昇降圧レギュレータバックブーストスイッチング 50 mV， 8-Pin， NCS1002ADR2G

7日出荷とは

5月24日より値下げいたしました。

注文コード	81440627
品番	NCS1002ADR2G
内容量	1袋(25個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥1,398

特長:	レギュレータタイプ = バックブーストスイッチングmA 出力電圧 = 50 mV 実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC ピン数 = 8 出力タイプ = 固定最大スイッチング周波数 = 100 kHz スイッチングレギュレータ = あり寸法 = 5 x 4 x 1.5mm 動作温度 Min = -55 ℃mm 幅 = 4mm 低入力オフセット電圧： 0.5 mV (標準入力コモンモード範囲にはアースが含まれています低静止電流： VCC = 5V でオペアンプあたり 75 μ A 大出力電圧スイング広い電源電圧範囲： 3 → 36 V 高 ESD 保護： 2 kV 最終製品バッテリ充電器用途スイッチモード電源
RoHS指令(10物質対応):	対応

特長:

レギュレータタイプ = バックブーストスイッチングmA
出力電圧 = 50 mV
実装タイプ = 表面実装
パッケージタイプ = SOIC
ピン数 = 8
出力タイプ = 固定
最大スイッチング周波数 = 100 kHz
スイッチングレギュレータ = あり
寸法 = 5 x 4 x 1.5mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
幅 = 4mm
低入力オフセット電圧： 0.5 mV (標準入力コモンモード範囲にはアースが含まれています低静止電流： VCC = 5V でオペアンプあたり 75 μ A 大出力電圧スイング広い電源電圧範囲： 3 → 36 V 高 ESD 保護： 2 kV 最終製品バッテリ充電器用途スイッチモード電源

RoHS指令(10物質対応):

対応