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| https://www.monotaro.com/p/8144/4319/ | 2026/10/09 15:06:53 |
![]() | onsemi onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 8 A, MJD44H11G |
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| 特長: | トランジスタタイプ = NPN 最大DCコレクタ電流 = 8 A 最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V パッケージタイプ = DPAK (TO-252) 実装タイプ = 表面実装 最大パワー消費 = 1.75 W 最小DC電流ゲイン = 60 トランジスタ構成 = シングル 最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V 最大動作周波数 = 85 MHz ピン数 = 3 1チップ当たりのエレメント数 = 1 動作温度 Max = +150 ℃mm 先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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