 | |
| https://www.monotaro.com/p/8144/5430/ | 2026/08/28 10:03:35 |
 | onsemi onsemi 抵抗内蔵トランジスタ， NPN/PNP， 表面実装， 100 mA， MUN5313DW1T1G |
|
|
| 特長: | トランジスタタイプ = NPN/PNP 最大DCコレクタ電流 = 100 mA 最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V パッケージタイプ = SOT-363 実装タイプ = 表面実装 最大パワー消費 = 385 mW 最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V ピン数 = 6 1チップ当たりのエレメント数 = 2 寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm このシリーズのデジタルトランジスタは、単一デバイスと外部抵抗バイアスネットワークを置き換えるように設計されています。バイアス抵抗トランジスタ( BRT )には、 2 つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、ベースエミッタ抵抗器で構成されるモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRT は、これらの個々のコンポーネントを 1 つのデバイスに統合することで、それらを排除します。BRT を使用することで、システムコストと基板スペースの両方を削減できます。回路設計の簡素化 基板スペースの削減 コンポーネント数を削減します 鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー |
|---|---|
| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
| Copyright 2000-2026MonotaRO Co.,Ltd. All Rights Reserved. 株式会社MonotaRO（ものたろう） |