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| https://www.monotaro.com/p/8144/6848/ | 2026/06/16 04:52:00 |
 | onsemi onsemi 抵抗内蔵トランジスタ， NPN， 表面実装， 100 mA， NSBC114EDXV6T1G |
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| 特長: | トランジスタタイプ = NPN 最大DCコレクタ電流 = 100 mA 最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V パッケージタイプ = SOT-563 実装タイプ = 表面実装 最大パワー消費 = 500 mW トランジスタ構成 = デュアル ピン数 = 6 1チップ当たりのエレメント数 = 2 ベースエミッタ抵抗器 = 10kΩ このシリーズのデジタルトランジスタは、単一デバイスと外部抵抗バイアスネットワークを置き換えるように設計されています。バイアス抵抗トランジスタ( BRT )には、 2 つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、ベースエミッタ抵抗器で構成されるモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRT は、これらの個々のコンポーネントを 1 つのデバイスに統合することで、それらを排除します。BRT を使用することで、システムコストと基板スペースの両方を削減できます。回路設計の簡素化 基板スペースの削減 コンポーネント数を削減します 品番の先頭が「 S 」 / 「 NSV 」の製品は、固有のサイトや制御変更の要件及び PPAP 対応を必要とする車載用途やその他の用途に最適です 鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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