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2026/06/16 03:35:00

MMBT4124LT1G onsemi 抵抗内蔵トランジスタ， NPN，表面実装， 200 mA， MMBT4124LT1G onsemi 81447250

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onsemi 抵抗内蔵トランジスタ， NPN，表面実装， 200 mA， MMBT4124LT1G

7日出荷とは

注文コード	81447250
品番	MMBT4124LT1G
内容量	1セット(3000個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥19,980

特長:	トランジスタタイプ = NPN 最大DCコレクタ電流 = 200 mA 最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 V パッケージタイプ = SOT-23 実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 W 最小DC電流ゲイン = 120 トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc ピン数 = 3 1チップ当たりのエレメント数 = 1 寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm NPN バイポーラトランジスタは、リニア用途やスイッチング用途向けに設計されています。このデバイスは、低消費電力の表面実装用途向けに設計された SOT-23 パッケージで提供されます。鉛フリーパッケージを用意
RoHS指令(10物質対応):	対応

特長:

トランジスタタイプ = NPN
最大DCコレクタ電流 = 200 mA
最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 V
パッケージタイプ = SOT-23
実装タイプ = 表面実装
最大パワー消費 = 300 W
最小DC電流ゲイン = 120
トランジスタ構成 = シングル
最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc
ピン数 = 3
1チップ当たりのエレメント数 = 1
寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm
NPN バイポーラトランジスタは、リニア用途やスイッチング用途向けに設計されています。このデバイスは、低消費電力の表面実装用途向けに設計された SOT-23 パッケージで提供されます。鉛フリーパッケージを用意

RoHS指令(10物質対応):

対応