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| https://www.monotaro.com/p/8144/7934/ | 2026/06/16 08:04:22 |
![]() | onsemi onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MUN5235DW1T1G |
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| 特長: | トランジスタタイプ = NPN 最大DCコレクタ電流 = 100 mA 最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88) 実装タイプ = 表面実装 最大パワー消費 = 256 mW トランジスタ構成 = 絶縁型 ピン数 = 6 1チップ当たりのエレメント数 = 2 標準抵抗比 = 0.047mm デュアル抵抗デュアルデジタルトランジスタ、ON Semiconductor |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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