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2026/05/16 07:17:15

BC847BPDW1T1G onsemi トランジスタ， NPN/PNP，表面実装， 100 mA， BC847BPDW1T1G onsemi 81448799

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onsemi トランジスタ， NPN/PNP，表面実装， 100 mA， BC847BPDW1T1G

7日出荷とは

5月24日より価格改定を予定しております。新価格(税抜)は19,980円となります。

注文コード	81448799
品番	BC847BPDW1T1G
内容量	1セット(3000個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥17,980

特長：	トランジスタタイプ = NPN/PNP 最大DCコレクタ電流 = 100 mA 最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V パッケージタイプ = SOT-363 実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 380 mW 最小DC電流ゲイン = 200 トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V 最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V 最大動作周波数 = 100 MHz ピン数 = 6 1チップ当たりのエレメント数 = 2 寸法 = 0.9 x 2 x 1.25mm デュアルNPN/PNPトランジスタ、ON Semiconductor. デュアルトランジスタパッケージで、それぞれ1つのNPNデバイスとPNPデバイスを含みます。
RoHS指令(10物質対応)：	対応

特長：

トランジスタタイプ = NPN/PNP
最大DCコレクタ電流 = 100 mA
最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V
パッケージタイプ = SOT-363
実装タイプ = 表面実装
最大パワー消費 = 380 mW
最小DC電流ゲイン = 200
トランジスタ構成 = 絶縁型
最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V
最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V
最大動作周波数 = 100 MHz
ピン数 = 6
1チップ当たりのエレメント数 = 2
寸法 = 0.9 x 2 x 1.25mm
デュアルNPN/PNPトランジスタ、ON Semiconductor. デュアルトランジスタパッケージで、それぞれ1つのNPNデバイスとPNPデバイスを含みます。

RoHS指令(10物質対応)：

対応