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2026/06/10 13:48:52

PZT3904T1G onsemi トランジスタ， NPN，表面実装， 200 mA， PZT3904T1G onsemi 81452667

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onsemi トランジスタ， NPN，表面実装， 200 mA， PZT3904T1G

7日出荷とは

注文コード	81452667
品番	PZT3904T1G
内容量	1セット(1000個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥19,980

特長:	トランジスタタイプ = NPN 最大DCコレクタ電流 = 200 mA 最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73) 実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1.5 W 最小DC電流ゲイン = 100 トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V 最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V 最大動作周波数 = 100 MHz ピン数 = 3 + Tab 1チップ当たりのエレメント数 = 1 動作温度 Max = +150 ℃mm NPN バイポーラトランジスタは、リニア用途やスイッチング用途向けに設計されています。このデバイスは、中電力の表面実装用途向けに設計された SOT-223 パッケージに収められています。鉛フリーパッケージを用意
RoHS指令(10物質対応):	対応

特長:

トランジスタタイプ = NPN
最大DCコレクタ電流 = 200 mA
最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V
パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)
実装タイプ = 表面実装
最大パワー消費 = 1.5 W
最小DC電流ゲイン = 100
トランジスタ構成 = シングル
最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V
最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V
最大動作周波数 = 100 MHz
ピン数 = 3 + Tab
1チップ当たりのエレメント数 = 1
動作温度 Max = +150 ℃mm
NPN バイポーラトランジスタは、リニア用途やスイッチング用途向けに設計されています。このデバイスは、中電力の表面実装用途向けに設計された SOT-223 パッケージに収められています。鉛フリーパッケージを用意

RoHS指令(10物質対応):

対応