STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 120 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン STMicro - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>ディスクリートその他関連用品 -

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2026/06/17 12:48:00

STB120NF10T4 STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 120 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン STMicro 81453288

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STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 120 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン

7日出荷とは

注文コード	81453288
品番	STB120NF10T4
内容量	1セット(1000個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥359,800

特長:	チャンネルタイプ N 最大連続ドレイン電流 120 A 最大ドレイン-ソース間電圧 100 V パッケージタイプ D2PAK (TO-263) 実装タイプ表面実装ピン数 3 最大ドレイン-ソース間抵抗 10.5 mΩ チャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V 最低ゲートしきい値電圧 2V 最大パワー消費 312 W トランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V 長さ 10.4mm 動作温度 Min -55 ℃mm NチャンネルSTripFET II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応):	対応

特長:

チャンネルタイプ N
最大連続ドレイン電流 120 A
最大ドレイン-ソース間電圧 100 V
パッケージタイプ D2PAK (TO-263)
実装タイプ表面実装
ピン数 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 10.5 mΩ
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 4V
最低ゲートしきい値電圧 2V
最大パワー消費 312 W
トランジスタ構成シングル
最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V
長さ 10.4mm
動作温度 Min -55 ℃mm
NチャンネルSTripFET II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。

RoHS指令(10物質対応):

対応