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| https://www.monotaro.com/p/8145/4794/ | 2026/06/14 23:46:01 |
![]() | onsemi onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 200 mA, MMBT2369ALT1G |
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| 特長: | トランジスタタイプ = NPN 最大DCコレクタ電流 = 200 mA 最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 15 V パッケージタイプ = SOT-23 実装タイプ = 表面実装 最大パワー消費 = 225 mW 最小DC電流ゲイン = 40 トランジスタ構成 = シングル 最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V 最大エミッタ-ベース間電圧 = 4.5 V 最大動作周波数 = 100 MHz ピン数 = 3 1チップ当たりのエレメント数 = 1 動作温度 Max = +150 ℃mm |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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