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| https://www.monotaro.com/p/8145/4819/ | 2026/06/10 08:59:19 |
 | onsemi onsemi トランジスタ， NPN， 表面実装， 100 mA， MUN5211T1G |
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| 特長: | トランジスタタイプ = NPN 最大DCコレクタ電流 = 100 mA 最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70) 実装タイプ = 表面実装 最大パワー消費 = 310 mW トランジスタ構成 = シングル 最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V ピン数 = 3 1チップ当たりのエレメント数 = 1 動作温度 Max = +150 ℃mm このシリーズのデジタルトランジスタは、単一デバイスと外部抵抗バイアスネットワークを置き換えるように設計されています。バイアス抵抗トランジスタ( BRT )には、 2 つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、ベースエミッタ抵抗器で構成されるモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRT は、これらの個々のコンポーネントを 1 つのデバイスに統合することで、それらを排除します。BRT を使用することで、システムコストと基板スペースの両方を削減できます。回路設計の簡素化 基板スペースの削減 コンポーネント数を削減します 鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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