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2026/06/14 02:26:35

FDMC2523P onsemi Pチャンネル MOSFET150 V 1.8 A 表面実装パッケージMLPAK33 8 ピン onsemi 81545295

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onsemi Pチャンネル MOSFET150 V 1.8 A 表面実装パッケージMLPAK33 8 ピン

5日出荷とは

注文コード	81545295
品番	FDMC2523P
内容量	1袋(5個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥1,498

特長:	チャンネルタイプ = P 最大連続ドレイン電流 = 1.8 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V シリーズ = QFET 実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ω チャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 3V 最大パワー消費 = 42000 mW トランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V 幅 = 3mm 動作温度 Min = -55 ℃mm Fairchild Semiconductor QFETR PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFETRプレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスイッチング時の損失を低減します。先進的なQFETRプロセス技術を使用して、競合のプレーナ型MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を提供することができます。
RoHS指令(10物質対応):	対応

特長:

チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 1.8 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V
シリーズ = QFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ω
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 3V
最大パワー消費 = 42000 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V
幅 = 3mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
Fairchild Semiconductor QFETR PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFETRプレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスイッチング時の損失を低減します。先進的なQFETRプロセス技術を使用して、競合のプレーナ型MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を提供することができます。

RoHS指令(10物質対応):

対応