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2026/06/17 03:25:50

FQD17P06TM onsemi Pチャンネル MOSFET60 V 12 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン onsemi 81545304

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onsemi Pチャンネル MOSFET60 V 12 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン

7日出荷とは

注文コード	81545304
品番	FQD17P06TM
内容量	1袋(5個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥1,198

特長:	チャンネルタイプ = P 最大連続ドレイン電流 = 12 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V パッケージタイプ = DPAK (TO-252) 実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 135 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V 最大パワー消費 = 2500 mW トランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V 標準ゲートチャージ @ Vgs = 21 nC @ 10 Vmm 高さ = 2.39mm 拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ高密度セル設計高い飽和電流優れたスイッチング耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータバッテリー保護電源管理制御 DC モータ制御
RoHS指令(10物質対応):	対応

特長:

チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 12 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
パッケージタイプ = DPAK (TO-252)
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 135 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 2V
最大パワー消費 = 2500 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V
標準ゲートチャージ @ Vgs = 21 nC @ 10 Vmm
高さ = 2.39mm
拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ高密度セル設計高い飽和電流優れたスイッチング耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータバッテリー保護電源管理制御 DC モータ制御

RoHS指令(10物質対応):

対応