onsemi Pチャンネル MOSFET100 V 6.6 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン onsemi - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>ディスクリートその他関連用品 -

https://www.monotaro.com/p/8154/5460/

2026/07/01 04:43:18

FQD8P10TM onsemi Pチャンネル MOSFET100 V 6.6 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン onsemi 81545460

onsemi
onsemi Pチャンネル MOSFET100 V 6.6 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン

5日出荷とは

注文コード	81545460
品番	FQD8P10TM
内容量	1袋(5個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥789

特長:	チャンネルタイプ = P 最大連続ドレイン電流 = 6.6 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V パッケージタイプ = DPAK (TO-252) 実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 530 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V 最大パワー消費 = 2500 mW トランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V 標準ゲートチャージ @ Vgs = 12 nC @ 10 Vmm 高さ = 2.3mm 自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。
RoHS指令(10物質対応):	対応

特長:

チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 6.6 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V
パッケージタイプ = DPAK (TO-252)
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 530 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 2V
最大パワー消費 = 2500 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V
標準ゲートチャージ @ Vgs = 12 nC @ 10 Vmm
高さ = 2.3mm
自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。

RoHS指令(10物質対応):

対応