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2026/05/21 02:42:50

FDS6675BZ onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 11 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン onsemi 81545539

onsemi
onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 11 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

5日出荷とは

注文コード	81545539
品番	FDS6675BZ
内容量	1袋(5個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥719

特長：	チャンネルタイプ = P 最大連続ドレイン電流 = 11 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V パッケージタイプ = SOIC 実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V 最大パワー消費 = 2500 mW トランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V 長さ = 5mm 動作温度 Min = -55 ℃mm PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。
RoHS指令(10物質対応)：	対応

特長：

チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 11 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
パッケージタイプ = SOIC
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 2500 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V
長さ = 5mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

RoHS指令(10物質対応)：

対応