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2026/05/22 01:24:19

FDN352AP onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 1.3 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン onsemi 81545715

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onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 1.3 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン

5日出荷とは

注文コード	81545715
品番	FDN352AP
内容量	1袋(10個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥639

特長：	チャンネルタイプ = P 最大連続ドレイン電流 = 1.3 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V シリーズ = PowerTrench 実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 180 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V 最大パワー消費 = 500 mW トランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V 幅 = 1.4mm 動作温度 Min = -55 ℃mm PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。
RoHS指令(10物質対応)：	対応

特長：

チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 1.3 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
シリーズ = PowerTrench
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 180 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V
最大パワー消費 = 500 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V
幅 = 1.4mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

RoHS指令(10物質対応)：

対応