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2026/06/14 15:18:46

FQPF7P20 onsemi Pチャンネル MOSFET200 V 5.2 A スルーホールパッケージTO-220F 3 ピン onsemi 81547964

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onsemi Pチャンネル MOSFET200 V 5.2 A スルーホールパッケージTO-220F 3 ピン

5日出荷とは

注文コード	81547964
品番	FQPF7P20
内容量	1セット(50個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥9,198

特長:	チャンネルタイプ = P 最大連続ドレイン電流 = 5.2 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V シリーズ = QFET 実装タイプ = スルーホールピン数 = 3 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 690 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 3V 最大パワー消費 = 45 W トランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V 長さ = 10.36mm 高さ = 16.07mm Fairchild Semiconductor QFETR PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFETRプレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスイッチング時の損失を低減します。先進的なQFETRプロセス技術を使用して、競合のプレーナ型MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を提供することができます。
RoHS指令(10物質対応):	対応

特長:

チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 5.2 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V
シリーズ = QFET
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 690 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 3V
最大パワー消費 = 45 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V
長さ = 10.36mm
高さ = 16.07mm
Fairchild Semiconductor QFETR PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFETRプレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスイッチング時の損失を低減します。先進的なQFETRプロセス技術を使用して、競合のプレーナ型MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を提供することができます。

RoHS指令(10物質対応):

対応