Vishay N， Pチャンネル MOSFET40 V 4.7 A、6.8 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン VISHAY - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>ディスクリートその他関連用品 -

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2026/06/03 02:58:16

SI4599DY-T1-GE3 Vishay N， Pチャンネル MOSFET40 V 4.7 A、6.8 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン VISHAY 81553616

VISHAY
Vishay N， Pチャンネル MOSFET40 V 4.7 A、6.8 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

7日出荷とは

注文コード	81553616
品番	SI4599DY-T1-GE3
内容量	1袋(20個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥2,598

特長:	チャンネルタイプ = N， P 最大連続ドレイン電流 = 4.7 A、6.8 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V パッケージタイプ = SOIC 実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 42.5 mΩ， 62 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V 最大パワー消費 = 3 W、3.1 W トランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V 長さ = 5mm 動作温度 Min = -55 ℃mm デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応):	対応

特長:

チャンネルタイプ = N， P
最大連続ドレイン電流 = 4.7 A、6.8 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V
パッケージタイプ = SOIC
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 42.5 mΩ， 62 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V
最大パワー消費 = 3 W、3.1 W
トランジスタ構成 = 絶縁型
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
長さ = 5mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

RoHS指令(10物質対応):

対応