Vishay N， Pチャンネル MOSFET30 V ±4.3 A， ±6 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン VISHAY - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>ディスクリートその他関連用品 -

https://www.monotaro.com/p/8155/4377/

2026/06/03 00:55:57

SI4532CDY-T1-GE3 Vishay N， Pチャンネル MOSFET30 V ±4.3 A， ±6 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン VISHAY 81554377

VISHAY
Vishay N， Pチャンネル MOSFET30 V ±4.3 A， ±6 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

7日出荷とは

注文コード	81554377
品番	SI4532CDY-T1-GE3
内容量	1セット(2500個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥149,800

特長:	チャンネルタイプ = N， P 最大連続ドレイン電流 = ±4.3 A， ±6 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V パッケージタイプ = SOIC 実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ， 140 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V 最大パワー消費 = 2.78 W トランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V 幅 = 4mm 動作温度 Min = -55 ℃mm デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応):	対応

特長:

チャンネルタイプ = N， P
最大連続ドレイン電流 = ±4.3 A， ±6 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
パッケージタイプ = SOIC
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ， 140 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 2.78 W
トランジスタ構成 = 絶縁型
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
幅 = 4mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

RoHS指令(10物質対応):

対応