Vishay Nチャンネル MOSFET100 V 120 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン VISHAY - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>ディスクリートその他関連用品 -

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2026/06/03 05:05:18

SUM70040E-GE3 Vishay Nチャンネル MOSFET100 V 120 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン VISHAY 81556504

VISHAY
Vishay Nチャンネル MOSFET100 V 120 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン

7日出荷とは

注文コード	81556504
品番	SUM70040E-GE3
内容量	1袋(5個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥2,398

特長:	チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 120 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V パッケージタイプ = D2PAK (TO-263) 実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.6 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V 最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V 最大パワー消費 = 375 W トランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V 幅 = 10.41mm 動作温度 Min = -55 ℃mm NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応):	対応

特長:

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 120 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V
パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.6 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 4V
最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V
最大パワー消費 = 375 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
幅 = 10.41mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

RoHS指令(10物質対応):

対応