Vishay N， Pチャンネル MOSFET60 V 190 mA， 300 mA 表面実装パッケージSC-89-6 6 ピン VISHAY - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>ディスクリートその他関連用品 -

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2026/05/16 00:20:35

SI1029X-T1-GE3 Vishay N， Pチャンネル MOSFET60 V 190 mA， 300 mA 表面実装パッケージSC-89-6 6 ピン VISHAY 81556556

VISHAY
Vishay N， Pチャンネル MOSFET60 V 190 mA， 300 mA 表面実装パッケージSC-89-6 6 ピン

7日出荷とは

5月24日より価格改定を予定しております。新価格(税抜)は1,698円となります。

注文コード	81556556
品番	SI1029X-T1-GE3
内容量	1袋(20個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥1,298

特長：	チャンネルタイプ = N， P 最大連続ドレイン電流 = 190 mA， 300 mA 最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V パッケージタイプ = SC-89-6 実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω， 8 Ω チャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V 最大パワー消費 = 250 mW トランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V 幅 = 1.7mm 動作温度 Min = -55 ℃mm デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)：	対応

特長：

チャンネルタイプ = N， P
最大連続ドレイン電流 = 190 mA， 300 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
パッケージタイプ = SC-89-6
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 6
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω， 8 Ω
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 250 mW
トランジスタ構成 = 絶縁型
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
幅 = 1.7mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

RoHS指令(10物質対応)：

対応