Vishay N， Pチャンネル MOSFET40 V 7.2 A、8 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン VISHAY - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>ディスクリートその他関連用品 -

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2026/06/03 04:08:27

SI4564DY-T1-GE3 Vishay N， Pチャンネル MOSFET40 V 7.2 A、8 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン VISHAY 81557134

VISHAY
Vishay N， Pチャンネル MOSFET40 V 7.2 A、8 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

7日出荷とは

注文コード	81557134
品番	SI4564DY-T1-GE3
内容量	1セット(2500個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥329,800

特長:	チャンネルタイプ = N， P 最大連続ドレイン電流 = 7.2 A、8 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V パッケージタイプ = SOIC 実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 mΩ， 28 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V 最大パワー消費 = 3.1 W、3.2 W トランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V、-16 V、+16 V、+20 V 長さ = 5mm 高さ = 1.55mm デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応):	対応

特長:

チャンネルタイプ = N， P
最大連続ドレイン電流 = 7.2 A、8 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V
パッケージタイプ = SOIC
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 mΩ， 28 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V
最大パワー消費 = 3.1 W、3.2 W
トランジスタ構成 = 絶縁型
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V、-16 V、+16 V、+20 V
長さ = 5mm
高さ = 1.55mm
デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

RoHS指令(10物質対応):

対応