Vishay Nチャンネル MOSFET600 V 29 A スルーホールパッケージTO-220FP 3 ピン VISHAY - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>ディスクリートその他関連用品 -

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2026/07/07 08:24:28

SiHF30N60E-GE3 Vishay Nチャンネル MOSFET600 V 29 A スルーホールパッケージTO-220FP 3 ピン VISHAY 81558114

VISHAY
Vishay Nチャンネル MOSFET600 V 29 A スルーホールパッケージTO-220FP 3 ピン

7日出荷とは

注文コード	81558114
品番	SiHF30N60E-GE3
内容量	1袋(2個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥1,998

特長:	チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 29 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V パッケージタイプ = TO-220FP 実装タイプ = スルーホールピン数 = 3 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V 最大パワー消費 = 37 W トランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V 長さ = 10.63mm 動作温度 Min = -55 ℃mm NチャンネルMOSFET、Eシリーズ、低性能指数、Vishay Semiconductor. VishayのEシリーズパワーMOSFETは、最大オン抵抗が極めて低く、低性能指数と高速スイッチングが特長の高電圧トランジスタです。幅広い定格電流の製品が用意されています。主な用途には、サーバー及び通信電源、LED照明、フライバックコンバータ、力率補正(PFC)、スイッチモード電源(SMPS)などがあります。. 特長. 低性能指数(FOM): RDS(on) x Qg 低入力静電容量(Ciss) 低オン抵抗(RDS(on)) 超低ゲート電荷(Qg) 高速スイッチングスイッチング損失及び導電損失を低減
RoHS指令(10物質対応):	対応

特長:

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 29 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
パッケージタイプ = TO-220FP
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 2V
最大パワー消費 = 37 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V
長さ = 10.63mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
NチャンネルMOSFET、Eシリーズ、低性能指数、Vishay Semiconductor. VishayのEシリーズパワーMOSFETは、最大オン抵抗が極めて低く、低性能指数と高速スイッチングが特長の高電圧トランジスタです。幅広い定格電流の製品が用意されています。主な用途には、サーバー及び通信電源、LED照明、フライバックコンバータ、力率補正(PFC)、スイッチモード電源(SMPS)などがあります。. 特長. 低性能指数(FOM): RDS(on) x Qg 低入力静電容量(Ciss) 低オン抵抗(RDS(on)) 超低ゲート電荷(Qg) 高速スイッチングスイッチング損失及び導電損失を低減

RoHS指令(10物質対応):

対応