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2026/05/31 12:25:44

RFP70N06 onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 70 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン onsemi 81562795

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onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 70 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン

5日出荷とは

5月24日より値下げいたしました。

注文コード	81562795
品番	RFP70N06
内容量	1個
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥429

特長:	チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 70 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V パッケージタイプ = TO-220AB 実装タイプ = スルーホールピン数 = 3 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V 最大パワー消費 = 150 W トランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V 幅 = 4.83mm 動作温度 Min = -55 ℃mm Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。
RoHS指令(10物質対応):	対応

特長:

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 70 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
パッケージタイプ = TO-220AB
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 2V
最大パワー消費 = 150 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
幅 = 4.83mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

RoHS指令(10物質対応):

対応