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2026/05/11 05:06:49

FQP6N80C onsemi Nチャンネル MOSFET800 V 5.5 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン onsemi 81563224

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onsemi Nチャンネル MOSFET800 V 5.5 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン

5日出荷とは

5月24日より価格改定を予定しております。新価格(税抜)は2,498円となります。

注文コード	81563224
品番	FQP6N80C
内容量	1袋(5個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥2,298

特長：	チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 5.5 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V シリーズ = QFET 実装タイプ = スルーホールピン数 = 3 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.5 Ω チャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 3V 最大パワー消費 = 158000 mW トランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V 幅 = 4.7mm 動作温度 Min = -55 ℃mm QFETR NチャンネルMOSFET、最大5.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。
RoHS指令(10物質対応)：	対応

特長：

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 5.5 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V
シリーズ = QFET
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.5 Ω
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 3V
最大パワー消費 = 158000 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V
幅 = 4.7mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
QFETR NチャンネルMOSFET、最大5.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。

RoHS指令(10物質対応)：

対応