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2026/06/14 19:41:45

FDS3890 onsemi Nチャンネル MOSFET80 V 4.7 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン onsemi 81563294

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onsemi Nチャンネル MOSFET80 V 4.7 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

5日出荷とは

注文コード	81563294
品番	FDS3890
内容量	1袋(5個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥1,998

特長:	チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 4.7 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 80 V シリーズ = PowerTrench 実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 82 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V 最大パワー消費 = 1.6 W、2 W トランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V 幅 = 3.9mm 動作温度 Min = -55 ℃mm PowerTrenchRデュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench R MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。
RoHS指令(10物質対応):	対応

特長:

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 4.7 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 80 V
シリーズ = PowerTrench
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 82 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 2V
最大パワー消費 = 1.6 W、2 W
トランジスタ構成 = 絶縁型
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
幅 = 3.9mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
PowerTrenchRデュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench R MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。

RoHS指令(10物質対応):

対応