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2026/05/16 06:55:23

RFD12N06RLESM9A onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 18 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン onsemi 81563906

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onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 18 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン

5日出荷とは

5月24日より価格改定を予定しております。新価格(税抜)は199,800円となります。

注文コード	81563906
品番	RFD12N06RLESM9A
内容量	1セット(2500個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥179,800

特長：	チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 18 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V シリーズ = UltraFET 実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V 最大パワー消費 = 49 W トランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V 幅 = 6.22mm 動作温度 Min = -55 ℃mm UltraFETR MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFETR Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理
RoHS指令(10物質対応)：	対応

特長：

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 18 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
シリーズ = UltraFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 49 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V
幅 = 6.22mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
UltraFETR MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFETR Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理

RoHS指令(10物質対応)：

対応