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| https://www.monotaro.com/p/8156/5166/ | 2026/06/04 04:24:54 |
![]() | VISHAY Vishay Pチャンネル MOSFET60 V 3.1 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン |
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| 特長: | チャンネルタイプ = P 最大連続ドレイン電流 = 3.1 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V パッケージタイプ = SOIC 実装タイプ = 表面実装 ピン数 = 8 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 150 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型 最低ゲートしきい値電圧 = 1V 最大パワー消費 = 2.4 W トランジスタ構成 = 絶縁型 最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V 長さ = 5mm 動作温度 Min = -55 ℃mm デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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