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2026/05/24 00:30:53

FQA8N100C onsemi Nチャンネル MOSFET1000 V 8 A スルーホールパッケージTO-3PN 3 ピン onsemi 81680718

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onsemi Nチャンネル MOSFET1000 V 8 A スルーホールパッケージTO-3PN 3 ピン

5日出荷とは

注文コード	81680718
品番	FQA8N100C
内容量	1個
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥599

特長：	チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 8 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 1000 V シリーズ = QFET 実装タイプ = スルーホールピン数 = 3 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.45 Ω チャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 3V 最大パワー消費 = 225 W トランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V 幅 = 5mm 動作温度 Min = -55 ℃mm QFETR NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。
RoHS指令(10物質対応)：	対応

特長：

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 8 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 1000 V
シリーズ = QFET
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.45 Ω
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 3V
最大パワー消費 = 225 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V
幅 = 5mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
QFETR NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。

RoHS指令(10物質対応)：

対応