onsemi Nチャンネル MOSFET50 V 14 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン onsemi - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>ディスクリートその他関連用品 -

https://www.monotaro.com/p/8168/0919/

2026/05/31 22:26:33

RFD14N05LSM onsemi Nチャンネル MOSFET50 V 14 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン onsemi 81680919

onsemi
onsemi Nチャンネル MOSFET50 V 14 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン

4日出荷とは

注文コード	81680919
品番	RFD14N05LSM
内容量	1個
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥169

特長:	チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 14 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V パッケージタイプ = DPAK (TO-252) 実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V 最大パワー消費 = 48000 mW トランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 V 幅 = 6.22mm 動作温度 Min = -55 ℃mm Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。
RoHS指令(10物質対応):	対応

特長:

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 14 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V
パッケージタイプ = DPAK (TO-252)
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 48000 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 V
幅 = 6.22mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

RoHS指令(10物質対応):

対応