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2026/05/23 14:11:36

FDP61N20 onsemi Nチャンネル MOSFET200 V 61 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン onsemi 81681007

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onsemi Nチャンネル MOSFET200 V 61 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン

6日出荷とは

5月24日より価格改定を予定しております。新価格(税抜)は419円となります。

注文コード	81681007
品番	FDP61N20
内容量	1個
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥239

特長：	チャンネルタイプ N 最大連続ドレイン電流 61 A 最大ドレイン-ソース間電圧 200 V シリーズ UniFET 実装タイプスルーホールピン数 3 最大ドレイン-ソース間抵抗 41 mΩ チャンネルモードエンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 3V 最大パワー消費 417000 mW トランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V 幅 4.83mm 高さ 9.4mm UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。さらに、内部ゲートソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。
RoHS指令(10物質対応)：	対応

特長：

チャンネルタイプ N
最大連続ドレイン電流 61 A
最大ドレイン-ソース間電圧 200 V
シリーズ UniFET
実装タイプスルーホール
ピン数 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 41 mΩ
チャンネルモードエンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 3V
最大パワー消費 417000 mW
トランジスタ構成シングル
最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V
幅 4.83mm
高さ 9.4mm
UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。さらに、内部ゲートソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

RoHS指令(10物質対応)：

対応