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| https://www.monotaro.com/p/8168/1226/ | 2026/06/07 07:04:27 |
 | onsemi onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 7.5 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン |
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| 特長: | チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 7.5 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V シリーズ = UltraFET 実装タイプ = 表面実装 ピン数 = 8 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 23 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型 最低ゲートしきい値電圧 = 2V 最大パワー消費 = 2500 mW トランジスタ構成 = シングル 最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V 幅 = 4mm 動作温度 Min = -55 ℃mm UltraFETR MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFETR Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理 |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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