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2026/06/13 15:08:41

FDS9926A onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 6.5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン onsemi 81681278

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onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 6.5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

5日出荷とは

注文コード	81681278
品番	FDS9926A
内容量	1袋(5個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥629

特長:	チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 6.5 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V シリーズ = PowerTrench 実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 30 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V 最大パワー消費 = 2000 mW トランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 V 幅 = 4mm 動作温度 Min = -55 ℃mm PowerTrenchRデュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench R MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。
RoHS指令(10物質対応):	対応

特長:

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 6.5 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V
シリーズ = PowerTrench
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 30 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V
最大パワー消費 = 2000 mW
トランジスタ構成 = 絶縁型
最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 V
幅 = 4mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
PowerTrenchRデュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench R MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。

RoHS指令(10物質対応):

対応